IRFB3207ZGPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 68ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 670A
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Resistance 4.1MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 68 ns
Continuous Drain Current (ID) 210A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Height 16.51mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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