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IRFB4019PBF Spécifications techniques

IRFB4019PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 95MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 80mW
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application AMPLIFIER
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage 4.9V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 150V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 19.8mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 80W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 7.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Recovery Time 96 ns
Nominal Vgs 4.9 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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