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IRFB4233PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 370W Tc
Power Dissipation 370W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 230V
Vgs (Max) ±30V
Continuous Drain Current (ID) 56A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 276V
Drain to Source Resistance 37mOhm
Nominal Vgs 5 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Min Operating Temperature -40°C
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 31 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 28A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 230V
Input Capacitance 5.51nF
Rds On Max 37 mΩ
Height 16.51mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
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