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IRFB7440GPBF Spécifications techniques

MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 208W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 120A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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