IRFB7534PBF Spécifications techniques

IRFB7534PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 294W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 134ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 93 ns
Continuous Drain Current (ID) 195A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0024Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 6.000006g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 294W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10034pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 279nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 118 ns
Threshold Voltage 3.7V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 944A
Avalanche Energy Rating (Eas) 775 mJ
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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