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IRFB7730PBF Spécifications techniques
IRFB7730PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2001 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13660pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 407nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 115 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 195A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 6.000006g |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power Dissipation-Max | 375W Tc |
Power Dissipation | 375W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A Tc |
Rise Time | 120ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 180 ns |
Threshold Voltage | 2.1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Height | 19.8mm |
Width | 4.83mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFB7730PBF Documents
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