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IRFH3702TRPBF Spécifications techniques

IRFH3702TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta
Power Dissipation 2.8W
Turn On Delay Time 9.6 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta 42A Tc
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain-source On Resistance-Max 0.0071Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120A
Avalanche Energy Rating (Eas) 77 mJ
Height 939.8μm
Width 2.9972mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 16A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Dual Supply Voltage 30V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 2.9972mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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