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IRFH4213DTRPBF
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IRFH4213DTRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Obsolete |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3520pF @ 13V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 18 ns |
Threshold Voltage | 1.6V |
Height | 900μm |
Width | 5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 5 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Resistance | 1.35MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 96W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A Ta |
Rise Time | 30ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 12 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 40A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Length | 6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IRFH4213DTRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
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IRFH4209DPbF | QQ2850920 | Circuits intégrés spécialisés | 15045 |
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