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IRFH5220TRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99.9m Ω @ 5.8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 3.4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 3.8A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 20A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 290 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 5 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 8.3W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 7.2 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A Ta 20A Tc |
Rise Time | 4.7ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0999Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 47A |
Radiation Hardening | No |
IRFH5220TRPBF Documents
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---|---|---|---|
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