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IRFH5302DTRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PDSO-N5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3635pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 29A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Length 5.9944mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 5
Resistance 2.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 104W Tc
Power Dissipation 3.6W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A Ta 100A Tc
Rise Time 30ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Height 838.2μm
Width 5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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