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IRFH7110TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Power Dissipation-Max 3.6W Ta 104W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5m Ω @ 35A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 22 ns
Threshold Voltage 3V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 50A
Nominal Vgs 3 V
Length 5.85mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TQFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.6W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A Ta 58A Tc
Rise Time 23ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 18 ns
Continuous Drain Current (ID) 11A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Height 1.17mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
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