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IRFH8307TRPBF Spécifications techniques
IRFH8307TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 3.6W Ta 156W Tc |
Power Dissipation | 3.6W |
Turn On Delay Time | 26 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A Ta 100A Tc |
Rise Time | 30ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 31 ns |
Threshold Voltage | 1.8V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 42A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 13 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 420 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFH8307TRPBF Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFH8201PBF | IR | Circuits intégrés spécialisés | 528 |
IRFH8201TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4582 |
IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFH8201TRPBF IC | IR | Circuits intégrés spécialisés | 637 |
IRFH8202TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2540 |
IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFH8303PBF | IR | Circuits intégrés spécialisés | 44 |
IRFH8303TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 15926 |
IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFH8307TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23141 |
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