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IRFH8318TR2PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Published 2008
Part Status Obsolete
Resistance 3.1MOhm
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Recovery Time 24 ns
Rds On Max 3.1 mΩ
Height 1.17mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 3.6W
Number of Elements 1
Power Dissipation 3.6W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A Ta 120A Tc
Rise Time 33ns
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 27A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 3.18nF
Drain to Source Resistance 3.1mOhm
Nominal Vgs 1.8 V
Length 5.85mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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