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IRFH8334TRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.2W Ta 30W Tc
Power Dissipation 3.2W
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 44A Tc
Rise Time 14ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 1.8 V
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 4.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain-source On Resistance-Max 0.009Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 35 mJ
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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