IRFH9310TRPBF Spécifications techniques

IRFH9310TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 2 (1 Year)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.1W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A Ta 40A Tc
Rise Time 47ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 70 ns
Continuous Drain Current (ID) 21A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0046Ohm
Nominal Vgs -1.9 V
Length 6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-N3
Power Dissipation-Max 3.1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5250pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Threshold Voltage -1.9V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Height 950μm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
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