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IRFHM830DTRPBF
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IRFHM830DTRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2010 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 7.1MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | S-PDSO-N5 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 37W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3m Ω @ 20A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1797pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 6.7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 20A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 30V |
Height | 990.6μm |
Width | 3.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-VQFN Exposed Pad |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.8W |
Turn On Delay Time | 9.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A Ta 40A Tc |
Rise Time | 20ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 9.1 ns |
Threshold Voltage | 1.8V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 40A |
Nominal Vgs | 1.8 V |
Length | 3.2766mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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