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IRFHM831TR2PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 30V 14A PQFN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape (CT)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 6.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 40A Tc
Rise Time 12ns
Turn-Off Delay Time 6.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Recovery Time 22 ns
Height 990.6μm
Width 3.3mm
REACH SVHC No SVHC
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Published 2013
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 2.5W
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.8m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Fall Time (Typ) 4.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
Nominal Vgs 1.8 V
Length 3.2766mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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