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IRFHM8363TR2PBF
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IRFHM8363TR2PBF Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power - Max | 2.7W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.9m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Published | 2013 |
Part Status | Obsolete |
Base Part Number | IRFHM8363PBF |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
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