IRFI1010NPBF Spécifications techniques

IRFI1010NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 12mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 49A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 58W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 46 ns
Continuous Drain Current (ID) 49A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 44A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 290A
Length 10.6172mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC 55V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 47W
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A Tc
Rise Time 66ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Height 9.8mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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