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IRFI4212H-117P
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IRFI4212H-117P Spécifications techniques
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 5 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Element Configuration | Dual |
Power Dissipation | 18W |
Turn On Delay Time | 4.7 ns |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Turn-Off Delay Time | 9.5 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 41 mJ |
Recovery Time | 54 ns |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-5 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Resistance | 72.5MOhm |
Max Power Dissipation | 18W |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72.5m Ω @ 6.6A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 50V |
Rise Time | 8.3ns |
Fall Time (Typ) | 4.3 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 11A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 44A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Standard |
Height | 9.02mm |
Width | 4.83mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFI4212H-117P Documents
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Feuilles de données
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