IRFI530NPBF Spécifications techniques

IRFI530NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 110mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 33W
Turn On Delay Time 6.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Tc
Rise Time 27ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Recovery Time 190 ns
Nominal Vgs 4 V
Length 10.6172mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 11A
Power Dissipation-Max 41W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Dual Supply Voltage 100V
Isolation Voltage 2.5kV
Height 9.8mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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