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IRFIZ44NPBF Spécifications techniques
IRFIZ44NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 60V |
Current Rating | 30A |
Power Dissipation-Max | 45W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | ISOLATED |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24m Ω @ 17A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 31A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.024Ohm |
Dual Supply Voltage | 55V |
Isolation Voltage | 2.5kV |
Height | 9.8mm |
Width | 4.826mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 38W |
Turn On Delay Time | 7.3 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A Tc |
Rise Time | 69ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 47 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Recovery Time | 98 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.6172mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFIZ44NPBF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFIZ14G | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 27655 |
IRFIZ14G | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 24486 |
IRFIZ14GPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4000 |
IRFIZ14GPBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 4000 |
IRFIZ24E | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2651 |
IRFIZ24EPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 7337 |
IRFIZ24G | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 22363 |
IRFIZ24G | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 23568 |
IRFIZ24GPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2704 |
IRFIZ24GPBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2591 |
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