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IRFP250MPBF Spécifications techniques

IRFP250MPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 214W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2159pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Length 16.129mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 75MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 214W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 43ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 41 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 21.1mm
Width 5.2mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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