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IRFP3077PBF Spécifications techniques

IRFP3077PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 340W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 76ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Dual Supply Voltage 75V
Recovery Time 63 ns
Height 20.7mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 3.3MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 340W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 77 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain Current-Max (Abs) (ID) 200A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 850A
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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