IRFP4468PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 520W
Turn On Delay Time 52 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 230ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 160 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 24.99mm
Width 5.3086mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 2.6MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 520W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6m Ω @ 180A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 19860pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 260 ns
Continuous Drain Current (ID) 290A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 740 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 15.87mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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