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IRFP4710PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 72A TO-247AC
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 14Ohm |
Voltage - Rated DC | 100V |
Current Rating | 72A |
Power Dissipation-Max | 190W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 45A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6160pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 38 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 72A |
JEDEC-95 Code | TO-247AC |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Recovery Time | 110 ns |
Height | 20.2946mm |
Width | 5.3mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 190W |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 72A Tc |
Rise Time | 130ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 41 ns |
Threshold Voltage | 5.5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 100V |
Nominal Vgs | 5.5 V |
Length | 15.875mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFP4710PBF Documents
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