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IRFR024NTRPBF Spécifications techniques
IRFR024NTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
Voltage - Rated DC | 55V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 38W |
Turn On Delay Time | 4.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Tc |
Rise Time | 34ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 68A |
Recovery Time | 83 ns |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 75mOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 17A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 45W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 17A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Dual Supply Voltage | 55V |
Max Junction Temperature (Tj) | 175°C |
Height | 2.52mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRFR024NTRPBF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFR010 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 83785 |
IRFR010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 83785 |
IRFR010 MOS | Vishay Precision Group | Circuits intégrés spécialisés | 1803 |
IRFR010-TF | SAMSUNG | Circuits intégrés spécialisés | 6285 |
IRFR010N | IR | Circuits intégrés spécialisés | 10 |
IRFR010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 34142 |
IRFR010PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1718 |
IRFR010PBF | Vishay Siliconix | Transistors MOSFET simples | |
IRFR010TF | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 630 |
IRFR010TM | TO-252 | Circuits intégrés spécialisés | 15350 |
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