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IRFR13N20DTRPBF
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IRFR13N20DTRPBF Spécifications techniques
IRFR13N20DTRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A Tc |
Rise Time | 27ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Threshold Voltage | 5.5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 52A |
Recovery Time | 210 ns |
Height | 2.3876mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 235mOhm |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 13A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235m Ω @ 8A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 10 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 13A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Dual Supply Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 5.5 V |
Length | 6.7056mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFR13N20DTRPBF Documents
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Feuilles de données
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Les pièces suivantes comprennent 'IRFR1'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFR1010E | I | Circuits intégrés spécialisés | 10500 |
IRFR1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 304 |
IRFR1010Z MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2706 |
IRFR1010ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3249 |
IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFR1010ZTRL | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2734 |
IRFR1010ZTRLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5252 |
IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFR1010ZTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5213 |
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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