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IRFR18N15DPBF Spécifications techniques
IRFR18N15DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 18A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 200 mJ |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125m Ω @ 11A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.125Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 150V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFR18N15DPBF Documents
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-
Feuilles de données
D'autres incluent "IRFR1" les pièces
Les pièces suivantes comprennent 'IRFR1'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IRFR1010E | I | Circuits intégrés spécialisés | 10500 |
IRFR1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 304 |
IRFR1010Z MOS | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2706 |
IRFR1010ZPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3249 |
IRFR1010ZPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFR1010ZTRL | IR | Circuits intégrés spécialisés | 2734 |
IRFR1010ZTRLPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5252 |
IRFR1010ZTRLPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples | |
IRFR1010ZTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5213 |
IRFR1010ZTRPBF | Infineon Technologies | Transistors MOSFET simples |
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