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IRFR3504ZTRPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 90W Tc
Current 42A
Power Dissipation 90W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 74ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Height 2.26mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 9MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 40V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 42A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Voltage 40V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 77A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 77 mJ
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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