IRFR4510TRPBF Spécifications techniques

IRFR4510TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9m Ω @ 38A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3031pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 34 ns
Continuous Drain Current (ID) 56A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 252A
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 143W Tc
Power Dissipation 143W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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