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IRFR7446PBF Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 98W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A Tc
Rise Time 13ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 32 ns
Threshold Voltage 3V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 520A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9m Ω @ 56A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 56A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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