IRFS3107PBF Spécifications techniques

IRFS3107PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Discontinued
Termination SMD/SMT
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 370W Tc
Power Dissipation 370W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 110ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 99 ns
Continuous Drain Current (ID) 230A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 75V
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 19 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 140A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9370pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Reverse Recovery Time 54 ns
Threshold Voltage 2.35V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Nominal Vgs 2.35 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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