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IRFS31N20DTRL Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.1W Ta 200W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A Tc |
Rise Time | 38ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.082Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 420 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 31A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82m Ω @ 18A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2370pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 31A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 124A |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
IRFS31N20DTRL Documents
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