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IRFS3206PBF Spécifications techniques
IRFS3206PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Current Rating | 210A |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 19 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 83 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 210A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Recovery Time | 50 ns |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Discontinued |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Power Dissipation | 300mW |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 82ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 55 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFS3206PBF Documents
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Feuilles de données
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