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IRFS3207ZPBF Spécifications techniques
IRFS3207ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Discontinued |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 4.1MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 68ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 170A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 75V |
Current Rating | 170A |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6920pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 55 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Recovery Time | 54 ns |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFS3207ZPBF Documents
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