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IRFS3207ZTRRPBF
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IRFS3207ZTRRPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1m Ω @ 75A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6920pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 68 ns |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0041Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 670A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Rise Time | 68ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 120A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 170 mJ |
Lead Free | Lead Free |
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