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IRFS3307ZPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Part Status Discontinued
Termination SMD/SMT
Resistance 5.8MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 230W Tc
Power Dissipation 230W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 64ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Recovery Time 50 ns
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 75V
Current Rating 120A
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 75V
Nominal Vgs 4 V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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