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IRFS4115TRL7PP Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Active
Number of Terminations 6
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8m Ω @ 63A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 105A
Drain-source On Resistance-Max 0.0118Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 420A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 380W Tc
Power Dissipation 380W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A Tc
Rise Time 50ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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