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IRFS4610TRLPBF Spécifications techniques

IRFS4610TRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 14MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 190W Tc
Power Dissipation 190W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A Tc
Rise Time 87ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 53 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3550pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 70 ns
Continuous Drain Current (ID) 73A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 290A
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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