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IRFS4615PBF Spécifications techniques

IRFS4615PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 144W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.042Ohm
Dual Supply Voltage 150V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 144W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 33A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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