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IRFS5615TRLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 144W Tc
Power Dissipation 144W
Turn On Delay Time 8.9 ns
Transistor Application AMPLIFIER
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Tc
Rise Time 23.1ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17.2 ns
Threshold Voltage 5V
Drain-source On Resistance-Max 0.042Ohm
Height 4.826mm
Width 9.652mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 13.1 ns
Continuous Drain Current (ID) 33A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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