IRFS7530-7PPBF Spécifications techniques

MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A Tc
Rise Time 102ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 79 ns
Continuous Drain Current (ID) 240A
Gate to Source Voltage (Vgs) 3.7V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Weight 1.59999g
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
Power Dissipation-Max 375W Tc
Turn On Delay Time 24 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 354nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 168 ns
Threshold Voltage 3.7V
REACH SVHC No SVHC
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