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IRFS7730TRLPBF
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IRFS7730TRLPBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 375W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 21 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A Tc |
Rise Time | 120ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 115 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 195A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0026Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 75V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 3.949996g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13660pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 407nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 180 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 984A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 898 mJ |
Lead Free | Lead Free |
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Feuilles de données
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