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IRFS7787TRLPBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 125W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A Tc
Rise Time 48ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 76A
Drain-source On Resistance-Max 0.0084Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 75V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 3.949996g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4m Ω @ 46A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 51 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
Avalanche Energy Rating (Eas) 209 mJ
Length 10.67mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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