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IRFSL7437PBF Spécifications techniques

Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 1.8MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 230W Tc
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 70ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 78 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Nominal Vgs 3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7330pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 53 ns
Continuous Drain Current (ID) 195A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 802 mJ
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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