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IRFSL7530PBF Spécifications techniques
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET®, StrongIRFET™ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 375W |
Turn On Delay Time | 52 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 195A Tc |
Rise Time | 141ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 172 ns |
Threshold Voltage | 3.7V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.002Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 760A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount, Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Weight | 2.084002g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2004 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 375W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2m Ω @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13703pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 411nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 104 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 195A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
REACH SVHC | No SVHC |
IRFSL7530PBF Documents
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Feuilles de données
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