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IRFSL7537PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 60V 173A TO262

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 173A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 82 ns
Threshold Voltage 3.7V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 554 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Weight 2.084002g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 230W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 84 ns
Continuous Drain Current (ID) 173A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 700A
REACH SVHC No SVHC
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