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IRFU024NPBF Spécifications techniques

IRFU024NPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 17A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 38W
Turn On Delay Time 4.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A Tc
Rise Time 34ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Dual Supply Voltage 55V
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 75mOhm
Voltage - Rated DC 55V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 45W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 17A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68A
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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