IRFU1205PBF Spécifications techniques

MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160A
Height 6.22mm
Width 2.3876mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Resistance 27mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 44A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 107W Tc
Power Dissipation 69W
Turn On Delay Time 7.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A Tc
Rise Time 69ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 47 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 210 mJ
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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